这不只验证了瞻芯电子第二代SiC MOSFET工艺渠道的可靠性，也为后续行将量产的其他SiC MOSFET产品奠定了坚实基础，一起也标志着瞻芯电子碳化硅晶圆厂跨进新的阶段。

  瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提高使用兼容性，简化使用体系模块规划。在产品结构上，第二代SiCMOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但逐渐优化了栅氧化层工艺和沟道规划，使器材比导通电阻下降约25%，并显着下降开关损耗，提高体系功率。一起，第二代SiC MOSFET产品仍然坚持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测验、浪涌测验中等评价中体现优秀。

  此外，瞻芯电子将在2023年连续推出更多规范类型的第二代SiC MOSFET，耐压等级包含650V/750V/1200V/1700V，导通电阻掩盖14mΩ-50Ω，而且大都选用车规级规范规划，如下：

  IV2Q12040T4Z是一款车规级1200V40mΩ SiC MOSFET产品，导通电流Ids=65A(Tc=25℃)，可耐受作业结温高达175℃，在比照同种类型的产品测验中，其比导通电阻较低，开关损耗与寄生电容更小，适用于更高开关频率。

  IV2Q12040T4Z在短路测验中，可耐受500A峰值脉冲电压，短路时刻大于3uS，波形图如下：

  IV2Q12040T4Z在单次10ms浪涌电流测验中，可耐受峰值电流高达214A，波形图如下：

  IV2Q12040T4Z选用T0247-4封装，具有开尔文源极引脚，能减小主回路对驱动信号的影响，因而更适合高功率、高频率、高功率的使用场景。

  原文标题：瞻芯电子第二代SiC MOSFET首款产品经过车规级认证，正式敞开量产交给

  文章出处：【微信号：瞻芯电子，微信大众号：瞻芯电子】欢迎增加重视！文章转载请注明出处。

  —M3S /

  成功经过了严厉的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成果标

  经过了车规级可靠性认证 /

  的使用及功能优势 /

  ）资料是功率半导体职业首要前进发展方向，用于制作功率器材，可显着提高电能利用率。

  器材的典型使用范畴包含：新能源轿车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业范畴，在

  ），一般被称为金刚砂，是仅有由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿藏的方式存在，但其呈现相对稀有。但是，自从1893年以来，粉状

  )的前史与使用 /

  系列器材用于光储一体机，将会比上一代器材在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面功能更超卓。

  迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的作业时分的温度等长处。因而，

  (SiCMOSFET)而言，高质量的衬底能够从外部购买得到，高质量的外延片也能够从外部购买到，但是这仅仅具有了取得一个

  芯片的规划和制作 /

  瞻芯电子TO263-7封装SiC MOSFET量产，助力高密高效功率改换

  瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET经过了车规级可靠性认证

  ROHM BM6337x/BM6357x系列怎么样才干处理开发布景中呈现的许多问题呢？

  华为拟分红770亿元！中移动全球首发5G-A商用布置/英特尔晶圆代工亏本 科技新闻点评

  数字信号处理试验操作教程：3-3 mp3音频编码试验（AD7606收集）